邀請函 - SEM晶體缺陷定量定性分析技術(cECCI)研習班
來源:cqleio
發布時間:2024-05-06 08:00:55
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SEM晶體缺陷定量定性分析技術(cECCI)研習班
5月31日,蔡司邀請德國馬普所顯微表征領域專家Stefan Zaefferer 博士,共同舉辦“SEM晶體缺陷定量定性分析技術”大中華區研習班。作為國際知名科學家,Dr. Stefan不僅將為我們介紹專門用于SEM中位錯、層錯等晶體缺陷定量定性分析的cECCI方案,還將進行該技術的操作教學與培訓。
cECCI(Controlled Electron Channeling Contrast Imaging) 可控電子通道襯度成像 清晰的晶體缺陷表征與分析通常被認為只能在透射電鏡(TEM)中完成,由此對制樣流程、拍攝技巧(雙束條件)都存在較高要求,可表征范圍也較小。 而cECCI是可以在掃描電鏡(SEM)中實現清晰的晶體學缺陷快速定量定性與分析的技術,它基于晶格錯排造成的背散射信號差異來實現,同時兼具了SEM中制樣簡單(僅需拋光)、可表征范圍大(整個樣品),TEM中可統計位錯密度、確定柏氏矢量的優點。在此基礎上,Dr. Stefan大大簡化了cECCI的操作流程,可以快速獲得雙束條件,降低了該技術的上手門檻,有助于幫助金屬、陶瓷、半導體等領域的用戶開展快速而準確的晶體缺陷分析。
歡迎全國存在快速晶體缺陷表征與分析需求的相關領域研究學者,報名參加此次研習班。
SEM晶體缺陷定量定性分析技術(cECCI) 點擊報名線上/線下參與 *注: 線下報名截止時間:5月17日; 由于場地限制,報名線下參與的老師,蔡司將在報名截止后以電話的形式和您確認最終報名信息。